AIXTRON SE
ISIN: DE000A0WMPJ6
WKN: A0WMPJ
15 July 2025 07:30AM

Universität Cambridge setzt auf AIXTRON für 2D-Photonik-Bauelemente der nächsten Generation

AIXTRON SE · ISIN: DE000A0WMPJ6 · EQS - Company News
Country: Germany · Primary market: Germany · EQS NID: 2169196


EQS-Media / 15.07.2025 / 07:30 CET/CEST

Universität Cambridge setzt auf AIXTRON für 2D-Photonik-Bauelemente der nächsten Generation

 

Herzogenrath, 15. Juli 2025 – Die Universität Cambridge in Großbritannien hat von AIXTRON SE (FSE: AIXA) eine Close Coupled Showerhead®-Anlage für die Forschung und Entwicklung im Bereich Photonik und Optoelektronik erworben. Die AIXTRON-Anlage ermöglicht das Wachstum von Nicht-Graphen-Schichtmaterialien, auch als „Layered Materials“ oder 2D Materialien bezeichnet, auf ganzen Wafern. Dies wiederum ermöglicht eine Integration mit Siliziumphotonik, so dass hocheffiziente, schnelle optische Datenkommunikationsbauelemente hergestellt werden können.

AIXTRONs Close Coupled Showerhead®-Anlage (CCS) in einer 200-mm-Ausführung wird derzeit im Cambridge Graphene Centre installiert und für die britische Layered Materials Research Foundry (LMRF) eingesetzt. Das LMRF wird seine Forschung auf Graphen und andere Nicht-Graphen-Schichtmaterialien („Layered Materials“, LMs) konzentrieren. Ziel ist es, eine voll integrierte Silizium-Photonik-Plattform zu entwickeln. Die CCS-Anlage von AIXTRON wurde für diese Pilotlinie ausgewählt, da sie derzeit die einzige Anlage ist, die einen nahtlosen Prozesstransfer und eine Skalierung auf 300 mm sowie die Massenfertigung von LMs ermöglicht. Zudem erlauben AIXTRON’s proprietäre ARGUS-Wafer-Temperaturregelung sowie der Konzentrationsmonitor Epison® (für die präzise Zufuhr der Quellenmaterialien) im Labor Produktionsbedingungen wie in der Serienfertigung.

„Wir arbeiten seit vielen Jahren eng mit AIXTRON zusammen, wodurch wir unsere Forschung und Entwicklung im Bereich der Layered Materials vorantreiben konnten. Das CCS-System von AIXTRON, das wir derzeit in unserem Cambridge Graphene Centre installieren, wird zur Abscheidung von LMs für optische Transceiver und Modulatoren verwendet, die für Hochgeschwindigkeitsdatenanwendungen wie 5G/6G sowie für optische Verbindungen und Schalter für energieeffiziente KI-Hardware der nächsten Generation eingesetzt werden sollen“, sagt Prof. Andrea Ferrari vom Institut für Nanotechnologie der Universität Cambridge.

„2D-Schichten bieten enorme Möglichkeiten in der Photonik, Optoelektronik und Nanoelektronik. Wir freuen uns, dass die Universität Cambridge bei ihrer weltweit führenden Forschung im Bereich Nanotechnologie auf AIXTRON setzt, um das Potenzial dieser Materialien auszuschöpfen. Damit tragen wir dazu bei, die nächste Generation optischer und elektronischer Bauelemente zu entwickeln“, sagt Dr. Felix Grawert, CEO AIXTRON SE.

 

Ansprechpartner

Christian Ludwig
Vice President Investor Relations & Corporate Communications
fon +49 (2407) 9030-444
e-mail c.ludwig@aixtron.com

 

 

Über AIXTRON

Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungshalbleiter- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und ‑umwandlung, Kommunikation, Signal‑ und Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R), EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R), PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im Internet unter www.aixtron.com verfügbar.

 

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche zukunftsgerichteten Aussagen geben die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel, Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei Abweichungen geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der englischen Übersetzung vor.



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Emittent/Herausgeber: AIXTRON SE
Schlagwort(e): Forschung/Technologie

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2169196  15.07.2025 CET/CEST

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EBITDA1,2 49,14 44,39 108,81 113,56 168,38 145,46 114,00
EBITDA-Margin3 18,93 16,49 25,37 24,52 26,73 22,97 20,92
EBIT1,4 39,00 34,84 98,98 104,70 156,77 131,23 98,00
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Net Profit (Loss)1 32,48 34,47 94,84 100,47 145,19 106,25 81,00
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Cashflow1,7 42,81 -39,16 -13,49 37,14 -47,29 26,23 34,00
Earnings per share8 0,29 0,31 0,85 0,89 1,29 0,94 0,70
Dividend per share8 0,00 0,11 0,30 0,31 0,40 0,15 0,15
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Explanation

1 in Mio. Euro; 2 EBITDA = Earnings before interest, taxes, depreciation and amortisation; 3 EBITDA in relation to sales; 4 EBIT = Earnings before interest and taxes; 5 EBIT in relation to sales; 6 Net profit (-loss) in relation to sales; 7 Cashflow from operations; 8 in Euro; Source: boersengefluester.de

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