AIXTRON SE
ISIN: DE000A0WMPJ6
WKN: A0WMPJ
07 Mai 2026 08:00AM

AIXTRON hat Planetary-GaN-MOCVD-Systeme an Renesas zur Erweiterung der High-Volume-Manufacturing-Kapazitäten geliefert

AIXTRON SE · ISIN: DE000A0WMPJ6 · EQS - Company News
Land: Deutschland · Primärmarkt: Deutschland · EQS News ID: 2322742


EQS-Media / 07.05.2026 / 08:00 CET/CEST

AIXTRON hat Planetary-GaN-MOCVD-Systeme an Renesas zur Erweiterung der High-Volume-Manufacturing-Kapazitäten geliefert

 

Herzogenrath, 7. Mai 2026 – AIXTRON SE (FSE: AIXA) hat Renesas mehrere Planetary G5+C-Systeme geliefert, um dessen Produktionskapazitäten für Galliumnitrid-(GaN)-Bauelemente in Hochvolumenfertigungsumgebungen (HVM) signifikant auszubauen. Die Zusammenarbeit stärkt Renesas’ GaN-Fertigungskapazitäten und adressiert die stark steigende Nachfrage in wichtigen Anwendungen der Leistungselektronik.

Seit der Übernahme von Transphorm im Juni 2024 treibt Renesas die industrielle Skalierung der GaN-Technologie konsequent voran. Die Schwerpunkte liegen auf Anwendungen in der E-Mobilität und im Automotive-Bereich, auf fortschrittlichen Internet-of-Things-(IoT)-Lösungen, auf Schnellladeinfrastrukturen, auf Stromversorgungsarchitekturen für KI- und Rechenzentrumsanwendungen sowie auf Systemen für erneuerbare Energien und industrielle Anwendungen. Das Ziel ist eine hocheffiziente, kompakte und skalierbare Leistungswandlung bereitzustellen.

 

MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) ist ein Schlüsselverfahren in der Halbleiterfertigung, dass die Abscheidung hochqualitativer GaN-Epitaxieschichten mit präzise kontrollierten Materialeigenschaften ermöglicht. Die Planetary-MOCVD-Systeme von AIXTRON sind auf einen hohen Durchsatz und eine exzellente Schichtuniformität ausgelegt. Sie unterstützen die nahtlose Skalierung der GaN-Leistungshalbleiterproduktion von Renesas. Die Systeme wurden bereits ausgeliefert und sind vollständig im Betrieb.

 

„GaN ist eines der dynamischsten Wachstumssegmente unserer Branche und entwickelt sich zunehmend zu einem zentralen Treiber unseres Power-Geschäfts“, sagte Rohan Samsi, Vice President der GaN Business Division der Power Product Group bei Renesas. „Wir freuen uns, auf der bewährten Planetary-Plattform aufzubauen, die ursprünglich bei Transphorm eingeführt wurde, und unsere Fertigungskapazitäten mit zusätzlichen AIXTRON GaN Planetary Systemen nahtlos zu erweitern.“

 

„Die Entscheidung von Renesas, die GaN-Produktion im High-Volume-Manufacturing gezielt hochzufahren, unterstreicht die beschleunigte Marktdynamik im Wide-Bandgap-Sektor“, sagte Dr. Nicolas Müsgens, Director Product Management GaN bei AIXTRON. „Als langjähriger Technologiepartner unterstützen wir diese Expansion mit unseren etablierten Planetary-MOCVD-Produktionslösungen. Der Auftrag über zusätzliche AIXTRON GaN Planetary Systeme belegt das klare Bekenntnis von Renesas zur GaN-Großserienfertigung und wir sind stolz darauf, mit unserer Technologie zu diesem Wachstum beizutragen.“

 

 

Ansprechpartner

Christian Ludwig
Vice President Investor Relations & Corporate Communications
fon +49 (2407) 9030-444
e-mail c.ludwig@aixtron.com

 

 

 

Über AIXTRON

Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungshalbleiter- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED- und Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und ‑umwandlung, Kommunikation, Signal‑ und Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT®, AIX-Multi-Ject®, AIXTRON®, Close Coupled Showerhead®, EXP®, EPISON®, Gas Foil Rotation®, HXP®, HYPERION®, Multi-Ject®, Planetary Reactor®, PVPD®, STExS®, TriJet®

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im Internet unter www.aixtron.com verfügbar.

 

 

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche zukunftsgerichteten Aussagen geben die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel, Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Sprache vor. Bei Abweichungen ist die englische Fassung maßgeblich.

 

 

 

 

 



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52134 Herzogenrath
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Börsen: Regulierter Markt in Frankfurt (Prime Standard); Freiverkehr in Düsseldorf, Hamburg, Hannover, München, Stuttgart, Tradegate BSX; Nasdaq OTC
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2322742  07.05.2026 CET/CEST

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Die wichtigsten Finanzdaten auf einen Blick
  2020 2021 2022 2023 2024 2025 2026e
Umsatzerlöse1 269,25 428,95 463,17 629,88 633,16 556,55 560,00
EBITDA1,2 44,39 108,81 113,56 168,38 145,46 117,02 124,00
EBITDA-Marge3 16,49 25,37 24,52 26,73 22,97 21,03 22,14
EBIT1,4 34,84 98,98 104,70 156,77 131,23 100,29 106,00
EBIT-Marge5 12,94 23,08 22,61 24,89 20,73 18,02 18,93
Jahresüberschuss1 34,47 94,84 100,47 145,19 106,25 85,25 88,50
Netto-Marge6 12,80 22,11 21,69 23,05 16,78 15,32 15,80
Cashflow1,7 -39,16 -13,49 37,14 -47,29 26,23 208,36 90,00
Ergebnis je Aktie8 0,31 0,85 0,89 1,29 0,94 0,76 0,78
Dividende8 0,11 0,30 0,31 0,40 0,15 0,15 0,15
Quelle: boersengefluester.de und Firmenangaben
Legende

1 in Mio. Euro; 2 EBITDA = Ergebnis vor Zinsen, Steuern und Abschreibungen; 3 EBITDA in Relation zum Umsatz; 4 EBIT = Ergebnis vor Zinsen und Steuern; 5 EBIT in Relation zum Umsatz; 6 Jahresüberschuss (-fehlbetrag) in Relation zum Umsatz; 7 Cashflow aus der gewöhnlichen Geschäftstätigkeit; 8 in Euro; Quelle: boersengefluester.de

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INVESTOR-INFORMATIONEN
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A0WMPJ DE000A0WMPJ6 SE 6.378,50 Mio € 30.06.1999 Kaufen 9F28R3FH+HQ
* * *
KGV 2027e KGV 10Y-Ø BGFL-Ratio Shiller-KGV KBV KCV KUV
61,78 27,03 2,29 86,63 7,14 30,61 11,46
Dividenden
Dividende '2023
in €
Dividende '2024
in €
Dividende '2025e
in €
Div.-Rendite '2025e
in %
0,40 0,15 0,15 0,27%
Finanztermine
Hauptversammlung Q1-Zahlen Q2-Zahlen Q3-Zahlen Bilanz-PK
13.05.2026 30.04.2026 30.07.2026 29.10.2026 26.02.2026
Performance-Angaben
Abstand 60-Tage-Linie Abstand 200-Tage-Linie Performance YtD Kursveränderung 52 Wochen IPO
Akt. Kurs (EoD)
-4,49%
56,22 €
ATH 89,50 €
+20,98% +109,23% +224,78% +306,21% +2.539,44%

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